据通富微电官微消息，11月30日，南通通富微电子有限公司三期工程封顶仪式在苏锡通园区通富微电厂区举行。通富微电三期工程总投资9.64亿元，位于苏锡通园区，此次三期工程一次性开工建设10万多平方米。项目采用集成电路封装、测试等具有自主知识产权的新技术、新工艺，建成后将形成年封装测试5G等新一代通信用集成电路产品2.8亿块的生产能力。资料显示，南通通富是通富微电集团在苏锡通园区布局的高端先进封装测试基
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11月10日，半导体封测大厂日月光位于马来西亚槟城的两座新厂（四厂及五厂）正式动工。据悉，这两座新建的半导体封装测试厂房建筑面积为982,000平方英尺，计划于2025年完工，为当地创造2,700个就业机会。新厂完工后，总建筑面积将达到200万平方英尺，是当前厂房面积的两倍。新厂房的核心产品是有大量需求的铜片桥接(copperclip)和图像感测器封装产品。此外，日月光还宣布，将在5年内投资3亿美
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11月1日，半导体封测大厂通富微电披露定增结果，确定本次发行价格为14.62元/股，发行股票数量为1.84亿股，未超过发行前公司总股本13.29亿股的30%，募集资金总额为26.93亿元，发行费用（不含增值税）1462.78万元。通富微电本次发行最终确定发行对象为7家，其中，大基金二期获配近3亿元，芯片设计领域上市公司艾为电子获配金额1.5亿元。本次发行的最终配售结果如下：图片来源：通富微电公告截
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11月1日，半导体封测大厂通富微电披露定增结果，确定本次发行价格为14.62元/股，发行股票数量为1.84亿股，未超过发行前公司总股本13.29亿股的30%，募集资金总额为26.93亿元，发行费用（不含增值税）1462.78万元。通富微电本次发行最终确定发行对象为7家，其中，大基金二期获配近3亿元，芯片设计领域上市公司艾为电子获配金额1.5亿元。本次发行的最终配售结果如下：图片来源：通富微电公告截
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据通富微电官微消息，11月30日，南通通富微电子有限公司三期工程封顶仪式在苏锡通园区通富微电厂区举行。通富微电三期工程总投资9.64亿元，位于苏锡通园区，此次三期工程一次性开工建设10万多平方米。项目采用集成电路封装、测试等具有自主知识产权的新技术、新工艺，建成后将形成年封装测试5G等新一代通信用集成电路产品2.8亿块的生产能力。资料显示，南通通富是通富微电集团在苏锡通园区布局的高端先进封装测试基
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